时隔几个礼拜,作为电源设计行业里板砖的小编又来了(之前发的内容太过花前月下了)。这次写的这个是我好久之前就想总结的,关于开关电源保护电路的文章。
继上次的留言功能之后,这次文章加入打赏功能啦~这里的打赏没有火箭、没有鱼丸~大家看着办哈~
首先描述一个大前提,每个保护的存在都考虑到电路可能发生的“意外”,超过了电路能够承受的范围,需要电路自身通过调节来避免自己的损坏。
PS:貌似是常识
所以下面我就不出现类似这样的话啦:该保护是为了……省字!
保护电路主要有检测、处理、实施三部分组成,所以我主要描述意外发生的原因以及如何检测和实施。
01
过流保护电路(OCP)
负载过载、输出短路、整流器件失效、开关管失效、干扰
当出现上述情况时,电路会发生过流。
大部分过流检测电路检测的是流过输出开关管的电流,其检测方法是将电流转换为电压,通过电压的变化来判断电路是否过流。也有些电路是直接检测负载电流来进行电路保护的。
当检测电路检测到电流过载,其输出一个信号给逻辑电路,逻辑电路输出控制信号,将开关脉冲电路封锁。通常过流都是不正常现象,所以过流保护一般是不可自恢复的。
02
欠压、过压保护电路(UVPOVP)
输入欠压、过压保护,输出过压保护
电路对进线电源电压的上限、下限都有限制,否则即使没有破坏电子器件,电路也难以工作在最佳状态。通常,对输入电压的判断都是通过比较电路来实现的,在输入电压高于/低于设定值时关闭电源输出,此关闭是可恢复的。
开关电源的输出电压一般不会超出正常范围,但一旦超出正常范围,对会对负载造成损坏。通过比较电路判断输出电压是否超出设定值,若超出则将输出锁定。该闭锁不能自恢复,必须断电重启。
03
过温保护(OTP)
功耗大、温度上升、可靠性降低
芯片内部集成了较多温敏半导体器件,统计资料表明,电子元器件温度每升高2℃,可靠性会下降10%。因此温度是影响开关电源芯片可靠性和稳定性的重要因素。
使用与绝对温度呈规律变化的器件可以实现对温度的检测,如PTAT电流源与绝对温度成正比,三极管的VBE电压与绝对温度成反比。最后将检测值输入比较器与设定值对比,来判断芯片温度是否过高。
当温度过高,芯片关闭电源输出,通常该关闭是可恢复的。
04
过载保护电路(OLP)
负载过大,导致过流、发热
电源过载,即负载过大,超过额定负载。
电源过载可以通过检测输出电压/电流来判断,通常电源过载会出现输出电压降低/电流变大的现象。对于过载保护,短时过载是容许的,只有在检测到长时间过流/电压过低时,保护才会启动,电源关闭。
05
防浪涌软启动电路(SS)
浪涌电流过大,器件损坏,电源无法正常工作
目前使用的大多数开关电源都是采用PWM对电能进行转换,其核心部件是DC-DC转换器,但开关电源的输入电压一般是高压交流电,所以首先要将该高压交流电进行整流,再通过一个很大的电解电容进入波形平滑。由于电容上的初始电压为零,电容充电瞬间会形成很大的浪涌电流。
常用的防浪涌方法时在电路中串联NTC,但NTC是负温度系数限流电阻,受环境温度影响较大,而且会降低开关管的转换效率。通过软启动来控制开关电源的启动可以有效消除浪涌电流,即在加电瞬间去除负载,同时限制有用电流,因为在没有负载时,开关电源启动电流一般很小。
06
ESD保护
静电放电的防护
ESD产生的原理是:带有静电的A物体与B物体接触,电荷发生转移,产生放电。ESD放电时间短,只有ns级别,但瞬间电流很高。常见的ESD放电模型有:人体放电模型(HNM)、机器放电模型(MM)、元件充电模型(CDM)、电场感应模型(FIM)。
如何做好ESD防护?首先,器件选型必须认证ESD等级,IO接口线路上必须有ESD防护以及做好EMI防护。ESD防护的意义是有效抑制由ESD放电产生的直接电荷注入。(关于ESD防护的点太多,在这里我就不详述了)
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